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光伏中ctm是什么意思?CTM值又是什么意思?电池片封装损失与组件

发布时间:2019-07-14 01:15 来源:未知 编辑:admin

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  2016-04-13展开全部通常我们使用组件输出功率与电池片功率总和的百分比(Cell To Module简称CTM值)表示组件功率损失的程度,CTM值越高表示组件封装功率损失的程度越小。如果CTM值较低,组件的输出功率有可能达不到预期的要求,遭到客户的投诉,最终造成经济效益的损失。

  与此相反,如果可以提高CTM值,组件的输出功率的增加会提高公司组件产品的收益,已达到降低生产成本的目的。在组件产品的生产过程中发现单晶组件和多晶组件的CTM差别比较大。在组件生产工序完全一致的情况下,单晶组件CTM损失要高于多晶组件,本文主要针对单晶和多晶组件CTM的差异性进行研究,解释单多晶组件CTM不同的内在原因。

  A.光学损耗:制绒绒面不同引起的光学反射、玻璃和EVA等引起的反射损失。

  B.电阻损耗,电池片本身的串联电阻损耗、焊带,汇流条本身的电阻引起的损耗,焊带不良导致的接触电阻、接线盒的电阻。

  C.不同电流的电池片串联时引起的电流失配损失,由于组成组件的各电池片最大工作点电流不匹配造成的失配损失(分档,低效片混入)。

  影响单晶和多晶组件CTM差异的因素主要包括2个方面,光学损耗和硼氧复合损耗。光学损耗产生的差异主要为单多晶电池产品的制绒工艺是不同的,反射率的差异性比较大;B-O复合损耗的差异为单多晶原料片生长工艺不同,单晶原料过程中引入的硼氧对要多于多晶原料。本文设计实验主要针对以上两点进行实验设计,分析造成单多晶组件CTM差异性的原因。

  通常我们使用组件输出功率与电池片功率总和的百分比(Cell To Module简称CTM值)表示组件功率损失的程度,CTM值越高表示组件封装功率损失的程度越小。

  A.光学损耗:制绒绒面不同引起的光学反射、玻璃和EVA等引起的反射损失。

  B.电阻损耗,电池片本身的串联电阻损耗、焊带,汇流条本身的电阻引起的损耗,焊带不良导致的接触电阻、接线盒的电阻。

  C.不同电流的电池片串联时引起的电流失配损失,由于组成组件的各电池片最大工作点电流不匹配造成的失配损失(分档,低效片混入)。

  影响单晶和多晶组件CTM差异的因素主要包括2个方面,光学损耗和硼氧复合损耗。

  光学损耗产生的差异主要为单多晶电池产品的制绒工艺是不同的,反射率的差异性比较大;B-O复合损耗的差异为单多晶原料片生长工艺不同,单晶原料过程中引入的硼氧对要多于多晶原料。

  本文设计实验主要针对以上两点进行实验设计,分析造成单多晶组件CTM差异性的原因。

  如果CTM值较低,组件的输出功率有可能达不到预期的要求,遭到客户的投诉,最终造成经济效益的损失。

  与此相反,如果可以提高CTM值,组件的输出功率的增加会提高公司组件产品的收益,已达到降低生产成本的目的。

  在组件生产工序完全一致的情况下,单晶组件CTM损失要高于多晶组件,本文主要针对单晶和多晶组件CTM的差异性进行研究,解释单多晶组件CTM不同的内在原因。

  CTM就是电池片到组件的过程中的封装损失,CTM值等于组件的功率与一个组件所用电池片功率总和的比值,CTM越大表示封装损失越小,不了解电池片的封装损失,也行指的是同一个吧。

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